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HY67V32101TQ-8.5

产品描述Cache SRAM, 32KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
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文件大小376KB,共16页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY67V32101TQ-8.5概述

Cache SRAM, 32KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

HY67V32101TQ-8.5规格参数

参数名称属性值
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间8.5 ns
JESD-30 代码R-PQFP-G100
长度20 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量100
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX32
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.5 V
最小供电电压 (Vsup)3.1 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
宽度14 mm
Base Number Matches1

HY67V32101TQ-8.5相似产品对比

HY67V32101TQ-8.5 HY67V32101TQ-15 HY67V32100TQ-13.5 HY67V32101TQ-7 HY67V32100TQ-8.5 HY67V32100TQ-10 HY67V32101TQ-13.5 HY67V32101TQ-10
描述 Cache SRAM, 32KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Cache SRAM, 32KX32, 15ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Cache SRAM, 32KX32, 13.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Cache SRAM, 32KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Cache SRAM, 32KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Cache SRAM, 32KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Cache SRAM, 32KX32, 13.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Cache SRAM, 32KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP,
针数 100 100 100 100 100 100 100 100
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow unknow unknow
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 8.5 ns 15 ns 13.5 ns 7 ns 8.5 ns 10 ns 13.5 ns 10 ns
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100 100 100 100 100
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32KX32 32KX32 32KX32 32KX32 32KX32 32KX32 32KX32 32KX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.5 V 3.5 V 3.5 V 3.5 V 3.5 V 3.5 V 3.5 V 3.5 V
最小供电电压 (Vsup) 3.1 V 3.1 V 3.1 V 3.1 V 3.1 V 3.1 V 3.1 V 3.1 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
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