RN1962TE85R: 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小172KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN1962TE85R概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

RN1962TE85R规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz
VCEsat-Max	0.3 V
Base Number Matches	1

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ