Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CY7C1513V18-167BZXI

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CY7C1513V18-167BZXI: 产品描述4MX18 QDR SRAM, 0.5ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共29页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/; 标准

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CY7C1513V18-167BZXI概述

4MX18 QDR SRAM, 0.5ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165

CY7C1513V18-167BZXI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BGA
包装说明	15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
针数	165
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e1
长度	17 mm
内存密度	75497472 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	NOT SPECIFIED
功能数量	1
端子数量	165
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	COMMERCIAL
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	15 mm
Base Number Matches	1

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CY7C1513V18-167BZXI相似产品对比

	CY7C1513V18-167BZXI	CY7C1513V18-200BZC	CY7C1515V18-167BZC	CY7C1513V18-300BZC	CY7C1515V18-200BZC
描述	4MX18 QDR SRAM, 0.5ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165	4MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	2MX36 QDR SRAM, 0.5ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	4MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	2MX36 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
是否无铅	不含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165	15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165	15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
针数	165	165	165	165	165
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	0.5 ns	0.45 ns	0.5 ns	0.45 ns	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e1	e0	e0	e0	e0
长度	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm
内存密度	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM
内存宽度	18	18	36	18	36
湿度敏感等级	NOT SPECIFIED	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	165	165	165
字数	4194304 words	4194304 words	2097152 words	4194304 words	2097152 words
字数代码	4000000	4000000	2000000	4000000	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX18	4MX18	2MX36	4MX18	2MX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	220	220	220	220
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm
Base Number Matches	1	1	1	-	-

CY7C1513V18-167BZXI

CY7C1513V18-167BZXI概述

CY7C1513V18-167BZXI规格参数

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