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UFZT600

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共2页
制造商Diodes Incorporated
标准
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UFZT600概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

UFZT600规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT-223
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压140 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 3 – FEBRUARY 1997
FEATURES
* 2A continuous current
* 140 VOLT V
CEO
* Guaranteed h
FE
Specified up to 1A
PART MARKING DETAIL –
FZT600
C
FZT600
E
C
B
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
160
140
10
4
2
2
-55 to +150
UNIT
V
V
V
0.01
10
10
0.1
1.1
1.2
1.9
1.7
100k
10k
20k
10k
250
10
0.75
2.20
100k
MHz
15
MHz
µ
s
µ
s
µ
A
µ
A
µ
A
µ
A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
MIN.
160
140
10
UNIT
V
V
V
A
A
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
TYP.
MAX.
CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
µ
A
V
CB
=140V
V
CB
=140V, T
amb
=100°C
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Turn-On Voltage
Static Forward
Current Transfer
Ratio
GROUP B
Transition Frequency
Output Capacitance
Switching Times
0.75
0.85
1.7
1.5
1k
2k
1k
5k
10k
5k
150
V
V
V
V
f
T
C
obo
T
on
T
off
V
CES
=140V
V
EB
=8V
I
C
=0.5A, I
B
=5mA*
I
C
=1A, I
B
=10mA*
I
C
=1A, I
B
=10mA*
I
C
=1A, V
CE
=5V*
I
C
=50mA, V
CE
=10V*
I
C
=0.5A, V
CE
=10V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
I
C
=50mA, V
CE
=10V*
I
C
=0.5mA, V
CE
=10V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
I
C
=100mA, V
CE
=10V
f=20MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
I
C
=0.5A, V
CE
=10V
I
B1
=I
B2
=0.5mA
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
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