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UPA1817GR-9JG

产品描述Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.0192ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小77KB,共8页
制造商NEC(日电)
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UPA1817GR-9JG概述

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.0192ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8

UPA1817GR-9JG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.0192 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
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