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SD1050CST/R13

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-252, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小112KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SD1050CST/R13概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-252, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

SD1050CST/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SD1020CS~SD1060CS
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Low power loss, High efficiency
• High surge capacity
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and
polarity protection applications
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
20 to 60 Volts
CURRENT
10.0 Ampere
MECHANICALDATA
• Case: TO-252 molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: As marking
• Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams.
MAXIMUM RATINGS AND DELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d R e c t i f i e d C ur r e nt a t T
C
= 7 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a x i m u m In s t a n t a n e o u s F o r w a r d V o l t a g e a t 5 . 0 A p e r l e g
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n Te m p e r a t u r e R a n g e
S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
S D 1 0 2 0 C S S D 1 0 3 0 C S S D 1 0 4 0 C S S D 1 0 5 0 C S S D 1 0 6 0 C S
U N I T S
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J C
R
θ
J A
T
J
T
S TG
-5 5 to +1 2 5
0 .5 5
0 .2
20
5 .0
80
-5 5 to +1 5 0
-5 5 to +1 5 0
20
14
20
30
21
30
40
28
40
1 0 .0
100
0 .7 5
0 .1
20
50
35
50
60
42
60
V
V
V
A
A
V
mA
O
C /
W
C
C
O
O
NOTES:
1. Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-APR.27.2009
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