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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CBSL60B
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CBSL60B

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小17KB，共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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CBSL60B概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

CBSL60B规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压28 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)146 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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CBSL60B
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI CBSL60B
is Designed for
PACKAGE STYLE .450 BAL FLG (A)
.060x45°
B
A
FULL R
.100x45°
C
D
F
FEATURES:
•
Input Matching Network
•
•
Omnigold™
Metalization System
E
P
G
H
K
J
M
L
N
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
O
DIM
A
B
MINIMUM
inches / mm
MAXIMUM
inches / mm
8.0 A
60 V
28 V
3.5 V
146 W @ T
C
= 25 C
-65 C to +200 C
-65
O
C to +150
O
C
1.2 C/W
O
O
O
.055 / 1.40
.120 / 3.05
.130 / 3.30
.785 / 19.94
.455 / 11.56
.120 / 3.05
.230 / 5.84
.838 / 21.28
1.095 / 27.81
.525 / 13.34
.002 / 0.05
.055 / 1.40
.080 . 2.03
.445 / 11.30
.850 / 21.59
1.105 / 28.07
.535 / 13.59
.005 / 0.15
.065 / 1.65
.095 / 2.41
.195 / 4.95
.455 / 11.56
.465 / 11.81
.130 / 3.30
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
ORDER CODE: ASI10584
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CEO
h
FE
P
G
VSRW
T
C
= 25 C
O
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 100 mA
I
C
= 100 mA
I
E
= 20 mA
V
CE
= 25 V
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 26 V
P
OUT
= 60 W
V
CC
= 26 V
I
C
=3.0 A
I
CQ
= 2 X 200 mA
f = 960 MHz
f = 960 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
60
28
3.5
30
25
8.5
5:1
80
UNITS
V
V
V
mA
---
dB
---
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
•
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
•
(818) 982-1200
•
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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