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5962-8852508ZA

产品描述EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28
产品类别存储    存储   
文件大小400KB,共14页
制造商Atmel (Microchip)
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5962-8852508ZA概述

EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28

5962-8852508ZA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL28,.4
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间150 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-CDFP-F28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL28,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
页面大小64 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.00035 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1

5962-8852508ZA相似产品对比

5962-8852508ZA
描述 EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
零件包装代码 DFP
包装说明 DFP, FL28,.4
针数 28
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C
最长访问时间 150 ns
命令用户界面 NO
数据轮询 YES
耐久性 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-CDFP-F28
JESD-609代码 e0
内存密度 262144 bit
内存集成电路类型 EEPROM
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 28
字数 32768 words
字数代码 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 32KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP
封装等效代码 FL28,.4
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK
页面大小 64 words
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
电源 5 V
编程电压 5 V
认证状态 Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流 0.00035 A
最大压摆率 0.08 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式 FLAT
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
切换位 YES
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