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ZVN2535ASTOB

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小72KB,共3页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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ZVN2535ASTOB概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

ZVN2535ASTOB规格参数

参数名称属性值
包装说明IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压350 V
最大漏极电流 (ID)0.09 A
最大漏源导通电阻40 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
* 350 Volt V
DS
R
DS(on)
=35Ω
ZVN2535A
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T
amb
=25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
350
90
1
±
20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
Drain-Source
Breakdown Voltage
Gate-Source
Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage
Drain Current
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
SYMBOL MIN.
BV
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
350
1
3
20
10
400
250
35
100
70
10
4
7
7
16
10
MAX. UNIT CONDITIONS.
V
V
nA
µA
µA
mA
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
(
1
)
V
DD
≈25V,
I
D
=100mA
V
DS
=25 V, V
GS
=0V, f=1MHz
I
D
=1mA, V
GS
=0V
ID=1mA, V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=350V, V
GS
=0
V
DS
=280V, V
GS
=0V,
T=125°C
(2)
V
DS
=25V, V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=100mA
V
DS
=25V,I
D
=100mA
I
D(on)
R
DS(on)
Forward Transconductance (1)( g
fs
2)
Input Capacitance (2)
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance
(2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
3-372
Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle
≤2%

ZVN2535ASTOB相似产品对比

ZVN2535ASTOB ZVN2535ASTOA ZVN2535ASTZ
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-W3 IN-LINE, R-PSIP-W3 IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 350 V 350 V 350 V
最大漏极电流 (ID) 0.09 A 0.09 A 0.09 A
最大漏源导通电阻 40 Ω 40 Ω 40 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-W3 R-PSIP-W3 R-PSIP-W3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 -
厂商名称 - Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors

 
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