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ZVN2106AM1

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, E-LINE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小31KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
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ZVN2106AM1概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, E-LINE PACKAGE-3

ZVN2106AM1规格参数

参数名称属性值
包装说明E-LINE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.45 A
最大漏源导通电阻2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
参考标准CECC
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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