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SGW5N60RUFD

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小230KB,共7页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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SGW5N60RUFD概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3

SGW5N60RUFD规格参数

参数名称属性值
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED SWITCHING
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)186 ns
标称接通时间 (ton)27 ns
Base Number Matches1
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