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SGL15N60RUFD

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264, TO-264, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小224KB,共7页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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SGL15N60RUFD概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264, TO-264, 3 PIN

SGL15N60RUFD规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-264
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)24 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码TO-264
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)130 ns
标称接通时间 (ton)90 ns
Base Number Matches1
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