EEPROM Module, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | PGA, PGA66,11X11 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 150 ns |
其他特性 | CONFIGURABLE AS 32K X 32; HARDWARE & SOFTWARE WRITE PROTECTION; DATA RETENTION = 10 YEARS |
备用内存宽度 | 16 |
数据轮询 | YES |
数据保留时间-最小值 | 10 |
JESD-30 代码 | S-CPGA-P66 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 30.1 mm |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM MODULE |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 66 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | PGA |
封装等效代码 | PGA66,11X11 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
页面大小 | 64 words |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 6.22 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR |
切换位 | NO |
宽度 | 30.1 mm |
写保护 | SOFTWARE |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved