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FDT434PJ23Z

产品描述Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小167KB,共5页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FDT434PJ23Z概述

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

FDT434PJ23Z规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻0.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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