EEPROM, 128KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | QFJ |
包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 300 ns |
命令用户界面 | NO |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 13.97 mm |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCN |
封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
页面大小 | 128 words |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3.3 V |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class C |
座面最大高度 | 3.048 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
切换位 | NO |
宽度 | 11.43 mm |
Base Number Matches | 1 |
AS58LC1001ECA-30/883C | AS58LC1001ECA-25/XT | AS58LC1001ECA-30/XT | AS58LC1001ECA-30/IT | AS58LC1001ECA-25/883C | AS58LC1001ECA-25/IT | |
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描述 | EEPROM, 128KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 128KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 128KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | QFJ | QFJ | QFJ | QFJ | QFJ | QFJ |
包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
针数 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | EAR99 | 3A001.A.2.C | EAR99 |
最长访问时间 | 300 ns | 250 ns | 300 ns | 300 ns | 250 ns | 250 ns |
命令用户界面 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
数据轮询 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 13.97 mm | 13.97 mm | 13.97 mm | 13.97 mm | 13.97 mm | 13.97 mm |
内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 85 °C | 125 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -40 °C | -55 °C | -40 °C |
组织 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCN | QCCN | QCCN | QCCN | QCCN | QCCN |
封装等效代码 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
页面大小 | 128 words | 128 words | 128 words | 128 words | 128 words | 128 words |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
编程电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
座面最大高度 | 3.048 mm | 3.048 mm | 3.048 mm | 3.048 mm | 3.048 mm | 3.048 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | INDUSTRIAL | MILITARY | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
切换位 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
宽度 | 11.43 mm | 11.43 mm | 11.43 mm | 11.43 mm | 11.43 mm | 11.43 mm |
厂商名称 | - | Micross | - | Micross | Micross | Micross |
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