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HUF75545S3S

产品描述75A, 80V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小96KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HUF75545S3S概述

75A, 80V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

HUF75545S3S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性ULTRA LOW RESISTANCE
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)75 A
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.01 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)310 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

HUF75545S3S相似产品对比

HUF75545S3S HUF75545P3
描述 75A, 80V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 75A, 80V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 ULTRA LOW RESISTANCE ULTRA LOW RESISTANCE
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 80 V 80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 75 A 75 A
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.01 Ω 0.01 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 310 W 310 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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