5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | MDE Semiconductor |
零件包装代码 | DO-214AB |
包装说明 | R-PDSO-C2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | UL RECOGNIZED, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN |
最大击穿电压 | 197 V |
最小击穿电压 | 178 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-214AB |
JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码 | e3 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 5000 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大重复峰值反向电压 | 160 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | C BEND |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved