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GM71C1000-10

产品描述Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18,
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文件大小880KB,共17页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GM71C1000-10概述

Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18,

GM71C1000-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间100 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
端子数量18
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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