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BY299Z

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-27,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小262KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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BY299Z概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-27,

BY299Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-27
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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