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800FXD29

产品描述800 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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800FXD29概述

800 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

800FXD29规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明3-77A1A, 2 PIN
针数2
制造商包装代码3-77A1A
Reach Compliance Codeunknown
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-XEDB-N2
最大非重复峰值正向电流14000 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流800 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压3000 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

800FXD29相似产品对比

800FXD29 800EXD29
描述 800 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 800 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 3-77A1A, 2 PIN 3-77A1A, 2 PIN
针数 2 2
制造商包装代码 3-77A1A 3-77A1A
Reach Compliance Code unknown unknown
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-XEDB-N2 O-XEDB-N2
最大非重复峰值正向电流 14000 A 14000 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 800 A 800 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 3000 V 2500 V
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 END END
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1

 
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