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BT137S-600G

产品描述TRIAC, 600V V(DRM), 8A I(T)RMS,
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小41KB,共6页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
标准
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BT137S-600G概述

TRIAC, 600V V(DRM), 8A I(T)RMS,

BT137S-600G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codenot_compliant
关态电压最小值的临界上升速率200 V/us
最大直流栅极触发电流50 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流40 mA
最大漏电流0.5 mA
湿度敏感等级1
最大通态电压1.65 V
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大均方根通态电流8 A
断态重复峰值电压600 V
表面贴装YES
触发设备类型TRIAC
Base Number Matches1

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Philips Semiconductors
Product specification
Triacs
BT137S series
GENERAL DESCRIPTION
Passivated triacs in a plastic envelope,
suitable for surface mounting, intended
for use in applications requiring high
bidirectional transient and blocking
voltage capability and high thermal
cycling
performance.
Typical
applications include motor control,
industrial and domestic lighting, heating
and static switching.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
BT137S-
BT137S-
BT137S-
Repetitive peak off-state
voltages
RMS on-state current
Non-repetitive peak on-state
current
MAX.
600
600F
600G
600
8
65
MAX.
800
800F
800G
800
8
65
UNIT
V
DRM
I
T(RMS)
I
TSM
V
A
A
PINNING - SOT428
PIN
1
2
3
tab
DESCRIPTION
MT1
MT2
gate
MT2
PIN CONFIGURATION
tab
SYMBOL
T2
T1
2
1
3
G
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL
V
DRM
I
T(RMS)
I
TSM
PARAMETER
Repetitive peak off-state
voltages
RMS on-state current
Non-repetitive peak
on-state current
I
2
t for fusing
Repetitive rate of rise of
on-state current after
triggering
full sine wave; T
mb
102 ˚C
full sine wave; T
j
= 25 ˚C prior to
surge
t = 20 ms
t = 16.7 ms
t = 10 ms
I
TM
= 12 A; I
G
= 0.2 A;
dI
G
/dt = 0.2 A/µs
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
CONDITIONS
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-600
600
1
8
65
71
21
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
MAX.
-800
800
UNIT
V
A
A
A
A
2
s
A/µs
A/µs
A/µs
A/µs
A
V
W
W
˚C
˚C
I
2
t
dI
T
/dt
I
GM
V
GM
P
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
Peak gate current
Peak gate voltage
Peak gate power
Average gate power
Storage temperature
Operating junction
temperature
over any 20 ms period
1
Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 6 A/µs.
June 2001
1
Rev 1.400

BT137S-600G相似产品对比

BT137S-600G BT137S-800
描述 TRIAC, 600V V(DRM), 8A I(T)RMS, TRIAC, 800V V(DRM), 8A I(T)RMS,
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code not_compliant unknown
关态电压最小值的临界上升速率 200 V/us 100 V/us
最大直流栅极触发电流 50 mA 35 mA
最大直流栅极触发电压 1.5 V 1.5 V
最大维持电流 40 mA 20 mA
最大漏电流 0.5 mA 0.5 mA
最大通态电压 1.65 V 1.65 V
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大均方根通态电流 8 A 8 A
断态重复峰值电压 600 V 800 V
表面贴装 YES YES
触发设备类型 TRIAC TRIAC
Base Number Matches 1 1
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