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GMM794000S-60

产品描述Fast Page DRAM Module, 4MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30
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文件大小244KB,共8页
制造商Goldstar Electron Co Ltd
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GMM794000S-60概述

Fast Page DRAM Module, 4MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30

GMM794000S-60规格参数

参数名称属性值
厂商名称Goldstar Electron Co Ltd
包装说明SIMM-30
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-XSMA-N30
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量30
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX9
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

GMM794000S-60相似产品对比

GMM794000S-60 GMM784000S-70 GMM794000S-70 GMM794000S-80 GMM784000S-60 GMM784000S-80
描述 Fast Page DRAM Module, 4MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 4MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 4MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 4MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 4MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 4MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30
厂商名称 Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd
包装说明 SIMM-30 SIMM-30 SIMM-30 SIMM-30 SIMM-30 SIMM-30
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 60 ns 70 ns 70 ns 80 ns 60 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30
内存密度 37748736 bit 33554432 bit 37748736 bit 37748736 bit 33554432 bit 33554432 bi
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 9 8 9 9 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 30 30 30 30 30 30
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX9 4MX8 4MX9 4MX9 4MX8 4MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
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