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RU4C(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 2.5A, 1000V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小88KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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RU4C(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Element, 2.5A, 1000V V(RRM),

RU4C(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.6 V
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流2.5 A
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
Base Number Matches1

RU4C(Z)相似产品对比

RU4C(Z) RU4Y(Z) RU4Z(Z) RU4(Z) RU4B(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 2.5A, 1000V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 3.5A, 100V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 3.5A, 200V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 800V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.6 V 1.3 V 1.3 V 1.5 V 1.6 V
最大非重复峰值正向电流 50 A 70 A 70 A 50 A 50 A
元件数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 2.5 A 3.5 A 3.5 A 3 A 3 A
最大重复峰值反向电压 1000 V 100 V 200 V 400 V 800 V
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
厂商名称 Galaxy Microelectronics - Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
Base Number Matches 1 1 1 1 -

 
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