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UPA2741GR-E2-AT

产品描述Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 35V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, POWER, SOP-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小99KB,共3页
制造商NEC(日电)
标准  
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UPA2741GR-E2-AT概述

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 35V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, POWER, SOP-8

UPA2741GR-E2-AT规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明ROHS COMPLIANT, POWER, SOP-8
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)19.6 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压35 V
最大漏极电流 (ID)14 A
最大漏源导通电阻0.012 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层PURE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

UPA2741GR-E2-AT相似产品对比

UPA2741GR-E2-AT UPA2741GR-E1-AT
描述 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 35V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, POWER, SOP-8 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 35V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, POWER, SOP-8
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 ROHS COMPLIANT, POWER, SOP-8 ROHS COMPLIANT, POWER, SOP-8
Reach Compliance Code unknown unknown
雪崩能效等级(Eas) 19.6 mJ 19.6 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 35 V 35 V
最大漏极电流 (ID) 14 A 14 A
最大漏源导通电阻 0.012 Ω 0.012 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 140 A 140 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 PURE TIN PURE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

 
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