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HBC8079FC(40)

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共4页
制造商HSMC
官网地址http://www.hsmc.com.tw/
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HBC8079FC(40)概述

Transistor

HBC8079FC(40)规格参数

参数名称属性值
厂商名称HSMC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.8 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)250
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6830
Issued Date : 1994.01.25
Revised Date : 2004.08.30
Page No. : 1/4
HBC807
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HBC807 is designed for switching and AF amplifier amplification suitable for
driver stages and low power output stages.
SOT-23
Absolute Maximum Ratings
Maximum Temperatures
Storage Temperature.......................................................................................................................... -55 to +150
°C
Junction Temperature.................................................................................................................................... +150
°C
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (T
A
=25°C)............................................................................................................... 225 mW
Maximum Voltages and Currents (T
A
=25°C)
V
CES
Collector to Base Voltage .......................................................................................................................... -50 V
V
CEO
Collector to Emitter Voltage....................................................................................................................... -45 V
V
EBO
Emitter to Base Voltage ............................................................................................................................... -5 V
I
C
Collector Current ....................................................................................................................................... -800 mA
Electrical Characteristics
(T
A
=25°C)
Symbol
BV
CEO
BV
CES
BV
EBO
I
CES
I
EBO
*V
CE(sat)
V
BE(on)
*h
FE
f
T
Cob
Min.
-45
-50
-5
-
-
-
-
100
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
Max.
-
-
-
-100
-100
-700
-1.2
630
-
12
MHz
pF
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
V
I
C
=-10mA
I
C
=-100uA
I
E
=-100uA
V
CE
=-25V
V
EB
=-4V
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA
V
CE
=-1V, I
C
=-300mA
V
CE
=-1V, I
C
=-100mA
V
CE
=-5V, I
C
=-10mA, f=100MHz
V
CB
=-10V, f=1MHz, I
E
=0
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
Test Conditions
Classification Of hFE
Rank
hFE
9FA(16)
100-250
9FB(25)
160-400
9FC(40)
250-630
HBC807
HSMC Product Specification
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