电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

JANKC1N5299

产品描述Current Regulator Diode, 1.2mA I(S), 1.45V V(L), Silicon, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小32KB,共2页
制造商Compensated Devices Inc
下载文档 详细参数 全文预览

JANKC1N5299概述

Current Regulator Diode, 1.2mA I(S), 1.45V V(L), Silicon, DIE-1

JANKC1N5299规格参数

参数名称属性值
厂商名称Compensated Devices Inc
包装说明DIE-1
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型CURRENT REGULATOR DIODE
JESD-30 代码S-XUUC-N1
最大限制电压1.45 V
元件数量1
端子数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/463
标称调节电流 (Ireg)1.2 mA
表面贴装YES
技术FIELD EFFECT
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
• 1N5283 THRU 1N5314 AVAILABLE IN
JANHC AND JANKC
PER MIL-PRF-19500/463
• CURRENT REGULATOR CHIPS
• ALL JUNCTIONS COMPLETELY PROTECTED WITH SILICON DIOXIDE
• ELECTRICALLY EQUIVALENT TO 1N5283 THRU 1N5314
• CONSTANT CURRENT OVER WIDE VOLTAGE RANGE
• COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE ATTACH TECHNIQUES,
WITH THE EXCEPTION OF SOLDER REFLOW
CD5283
thru
CD5314
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -55°C to +175°C
Storage Temperature: -55°C to +175°C
Peak Operating Voltage: 100 VOLTS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified
13 MILS
MAXIMUM
LIMITING
VOLTAGE
@ lL = 0.8 lp (min)
VL (VOLTS)
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.05
1.05
1.05
1.10
1.13
1.15
1.20
1.25
1.29
1.35
1.40
1.45
1.50
1.55
1.60
1.65
1.75
1.85
1.95
2.00
2.15
2.25
2.35
2.50
2.60
2.75
2.90
2.75
2.35
1.95
1.60
1.35
1.00
0.870
0.750
0.560
0.470
0.400
0.335
0.290
0.240
0.205
0.180
0.155
0.135
0.115
0.105
0.092
0.074
0.061
0.052
0.044
0.035
0.029
0.024
0.020
0.017
0.014
0.012
TYPE
NUMBER
NOM
CD5283
CD5284
CD5285
CD5286
CD5287
CD5288
CD5289
CD5290
CD5291
CD5292
CD5293
CD5294
CD5295
CD5296
CD5297
CD5298
CD5299
CD5300
CD5301
CD5302
CD5303
CD5304
CD5305
CD5306
CD5307
CD5308
CD5309
CD5310
CD5311
CD5312
CD5313
CD5314
0.22
0.24
0.27
0.30
0.33
0.39
0.43
0.47
0.56
0.62
0.68
0.75
0.82
0.91
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.80
2.00
2.20
2.40
2.70
3.00
3.30
3.60
3.90
4.30
4.70
REGULATOR CURRENT
lp (mA) @ VT = 25V
(Note 3)
MIN
0.198
0.216
0.243
0.270
0.297
0.351
0.387
0.423
0.504
0.558
0.612
0.675
0.738
0.819
0.900
0.990
1.08
1.17
1.26
1.35
1.44
1.62
1.80
1.98
2.16
2.43
2.70
2.97
3.24
3.51
3.87
4.23
MAX
0.242
0.264
0.297
0.330
0.363
0.429
0.473
0.517
0.616
0.682
0.748
0.825
0.902
1.001
1.100
1.210
1.32
1.43
1.54
1.65
1.76
1.98
2.20
2.42
2.64
2.97
3.30
3.63
3.96
4.29
4.73
5.17
MINIMUM
DYNAMIC
IMPEDANCE
@VT = 25V
ZT (MΩ)
(Note 1)
25.0
19.0
14.0
9.0
6.6
4.10
3.30
2.70
1.90
1.55
1.35
1.15
1.00
0.880
0.800
0.700
0.640
0.580
0.540
0.510
0.475
0.420
0.395
0.370
0.345
0.320
0.300
0.280
0.265
0.255
0.245
0.235
MINIMUM
KNEE
IMPEDANCE
@VK = 6.0 V
ZK (MΩ)
(Note 2)
BACKSIDE IS CATHODE
A = Anode
DESIGN DATA
METALLIZATION:
Top: (Anode).......................Al
Back: (Cathode)..................Au
AL THICKNESS.......25,000
Å
Min
GOLD THICKNESS...4,000
Å
Min
CHIP THICKNESS.............10
Mils
TOLERANCES:
ALL Dimensions
+ 2 mils, Except Anode Pad
Where Tolerance is + 0.1 mils.
NOTE 1
NOTE 2
NOTE 3
ZT is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of VT on VT.
ZK is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of VK on VK.
IP is read using a pulse measurement, 10 milliseconds maximum.
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
28 MILS
介绍一种特别的宏用法,方便修改IO口状态
这里有个特别的宏用法,把这句话加到你程序的第一行即可: #define BinToHex(n) (((n>>21)&0x80)|((n>>18)&0x40)|((n>>15)&0x20)|((n>>12)&0x10)|((n>>9)&0x08)|((n>>6)&0x04)|((n>>3)&0x02)|( ......
sunbowei2000 综合技术交流
新开了群组
http://groups.eeworld.net/VxWorks 大家踊跃用哦!...
jerryzheng88 嵌入式系统
如果把充电宝的输入输出接起来会发生什么
RTRT 请问有坛友做过这种事情吗? 后果会是怎样的呢? 如何避免这种后果呢? 欢迎大家畅所欲言 ...
se7ens 聊聊、笑笑、闹闹
POE技术在安防行业的应用及发展
POE技术在安防行业的应用及发展 对于终端而言,不需要考虑室内的市电取电问题,只要通过RJ45标准接口就能轻松实现供电,从而实现成本的降低、方便 ......
POE交换机 综合技术交流
i2c总线规范中文版
来冒个泡...
jasonkidd0215 FPGA/CPLD
重要通知—2017全国大学生电子设计竞赛元器件清单正式公布
经全国大学生电子设计竞赛组委会和专家组讨论,决定提前公布2017全国大学生电子设计竞赛元器件清单。 2017 年全国大学生电子设计竞赛 仪器和主要元器件清单 仪器清单 500MHz 信号源(带 ......
hightemplar 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 359  907  2232  2362  1789  58  20  35  50  7 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved