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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UFMMTA14
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UFMMTA14

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小47KB，共1页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
标准
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UFMMTA14概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

UFMMTA14规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.3 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)20000
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 4 - DECEMBER 1996
COMPLEMENTARY TYPES -
FMMTA12 – NONE
FMMTA13 – FMMTA63
FMMTA14 – FMMTA64
FMMTA12
FMMTA13
FMMTA14
C
B
E
PARTMARKING DETAILS –
FMMTA12 – 3W
FMMTA13 – 1M
FMMTA14 – 1N
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
20
10
300
330
-55 to +150
FMMTA12
FMMTA13/14
40
40
40
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
UNIT
V
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
20
40
100
100
100
100
20K
5K
10K
10K
20K
1.0
0.9
1.4
2.0
V
V
V
V
MAX.
UNIT
V
V
nA
nA
nA
nA
CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A, I
B
=0*
I
C
=100
µ
A, I
B
=0*
V
CB
=15V, V
BE
=0
V
CB
=15V, I
E
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
EB
=10V, I
C
=0
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=10mA, I
B
=0.01mA
I
C
=100mA, I
B
=0.1mA
I
C
=10mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA,V
CE
=5V*
Collector-Emitter
FMMTA12
V
(BR)CES
Breakdown Voltage FMMTA13/14
Collector Cut-Off
Current
Collector Cut-Off
Current
FMMTA12
I
CES
FMMTA12
I
CBO
FMMTA13/14
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-Off Current
Static Forward
Current Transfer
Ratio
FMMTA12
FMMTA13
FMMTA13
FMMTA14
FMMTA14
Collector-Emitter
FMMTA12
V
CE(sat)
Saturation Voltage FMMTA13/14
Base-Emitter
On Voltage
FMMTA12
V
BE(on)
FMMTA13/14
*Measured under pulsed conditions. Pulse width =300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for these devices
For typical graphs see FMMT38A datasheet

UFMMTA14相似产品对比

UFMMTA14 UFMMTA13
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.3 A 0.3 A
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V
配置 DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 20000 10000
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 1.5 V 1.5 V
Base Number Matches 1 1

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