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FMMT6520

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小49KB,共1页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
标准
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FMMT6520概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

FMMT6520规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压350 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.33 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
VCEsat-Max1 V
Base Number Matches1

文档预览

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SOT23 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 2 - NOVEMBER 1995
FEATURES
* 350 Volt V
CEO
* Gain of 15 at I
C
=-100mA
7
FMMT6520
E
C
B
APPLICATIONS
* SUITABLE FOR AMPLIFIER AND SWITCHING PRODUCTS
COMPLEMENTARY TYPE FMMT6517
PARTMARKING DETAIL – 520
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
= 25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Breakdown Voltages
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
Cut-Off Currents
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Turn-On
Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
MIN.
-350
-350
-5
-50
-50
-0.3
-0.35
-0.5
-1.0
-0.75
-0.85
-0.90
-2.0
20
30
30
20
15
50
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
MAX.
UNIT
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
VALUE
-350
-350
-5
-500
330
-55 to +150
CONDITIONS.
I
C
=-100
µ
A, I
E
=0
I
C
=-1mA, I
B
=0*
I
E
=-10
µ
A, I
C
=0
V
CB
=-250V, I
E
=0
V
EB
=-3V, I
C
=0
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA*
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-30mA, I
B
=-3mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA*
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA*
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-30mA, I
B
=-3mA*
I
C
=-100mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-10mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-30mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-10V*
pF
MHz
V
CB
=20V, f=1MHz
I
C
=-10mA, V
CE
=-20V,
f=20MHz
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
200
200
6
Output Capacitance
Transition Frequency
C
obo
f
T
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
2%
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