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HBC517

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共4页
制造商HSMC
官网地址http://www.hsmc.com.tw/
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HBC517概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), NPN

HBC517规格参数

参数名称属性值
厂商名称HSMC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)30000
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
表面贴装NO
Base Number Matches1

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HA200217
Issued Date : 2002.09.01
Revised Date : 2005.02.04
Page No. : 1/4
HBC517
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
General Purpose High Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
TO-92
Maximum Temperatures
Storage Temperature ........................................................................................................................... -55 ~ +150
°C
Junction Temperature ................................................................................................................... +150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (T
A
=25°C) ............................................................................................................... 625 mW
Maximum Voltages and Currents (T
A
=25°C)
V
CBO
Collector to Base Voltage ........................................................................................................................... 40 V
V
CEO
Collector to Emitter Voltage ........................................................................................................................ 30 V
V
EBO
Emitter to Base Voltage .............................................................................................................................. 10 V
I
C
Collector Current ........................................................................................................................................ 500 mA
Electrical Characteristics
(T
A
=25°C)
Characteristic
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Collector Output Capacitance
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
hFE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Test Condition
I
C
=0.1mA, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=1mA, I
C
=0
V
CB
=40V, I
E
=0
V
EB
=10V, I
C
=0
I
C
=100mA, V
CE
=2V
I
C
=100mA, I
B
=1mA
I
C
=100mA, I
B
=1mA
I
C
=100mA, V
CE
=2V,
f=100MHz
V
CB
=10V, f=1MHz, I
E
=0
Min.
40
30
10
-
-
30K
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
1.5
220
5
Max.
-
-
-
1
1
-
1
2
-
-
V
V
MHz
pF
Unit
V
V
V
uA
uA
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
HBC517
HSMC Product Specification

HBC517相似产品对比

HBC517
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), NPN
厂商名称 HSMC
Reach Compliance Code unknown
最大集电极电流 (IC) 0.5 A
配置 Single
最小直流电流增益 (hFE) 30000
最高工作温度 150 °C
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W
表面贴装 NO
Base Number Matches 1
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