电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HD122

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共5页
制造商HSMC
官网地址http://www.hsmc.com.tw/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HD122概述

Transistor

HD122规格参数

参数名称属性值
厂商名称HSMC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)5 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)40 W
表面贴装NO
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HD200101
Issued Date : 1998.12.01
Revised Date : 2006.07.19
Page No. : 1/5
HD122
NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
Description
The HD122 is designed for medium power linear and switching applications.
Absolute Maximum Ratings
(T
A
=25°C)
TO-126ML
Maximum Temperatures
Storage Temperature ........................................................................................................................... -50 ~ +150
°C
Junction Temperature ................................................................................................................... +150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (T
C
=25°C) .................................................................................................................... 40 W
Maximum Voltages and Currents
BV
CBO
Collector to Base Voltage....................................................................................................................... 100 V
BV
CEO
Collector to Emitter Voltage.................................................................................................................... 100 V
BV
EBO
Emitter to Base Voltage.............................................................................................................................. 5 V
I
C
Collector Current ................................................................................................................................................ 5 A
I
C
Collector Current (Pulse) ................................................................................................................................... 6 A
Electrical Characteristics
(T
A
=25°C)
Symbol
BV
CBO
BV
EBO
I
CEO
I
CBO
I
EBO
*V
CE(sat)1
*V
CE(sat)2
*V
BE(on)
*h
FE1
*h
FE2
Min.
100
5
-
-
-
-
-
-
1000
1000
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
2
1
2
2.5
2.8
2.5
-
-
Unit
V
V
mA
mA
mA
V
V
V
I
C
=1mA
I
E
=1mA
V
CE
=50V
V
CB
=100V
V
BE
=5V
I
C
=1.5A, I
B
=30mA
I
C
=2A, I
B
=40mA
I
C
=3A, V
CE
=3V
I
C
=0.5A, V
CE
=3V
I
C
=3A, V
CE
=3V
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
Test Conditions
HD122
HSMC Product Specification

HD122相似产品对比

HD122
描述 Transistor
厂商名称 HSMC
Reach Compliance Code unknown
最大集电极电流 (IC) 5 A
配置 DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 1000
最高工作温度 150 °C
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 40 W
表面贴装 NO
Base Number Matches 1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1229  1101  2263  2290  1711  48  55  58  13  21 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved