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LMGSF1N02LT1G

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小364KB,共7页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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LMGSF1N02LT1G概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

LMGSF1N02LT1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.75 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

LMGSF1N02LT1G相似产品对比

LMGSF1N02LT1G LMGSF1N02LT3G
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 LRC LRC
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.75 A 0.75 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.4 W 0.4 W
表面贴装 YES YES
Base Number Matches 1 1

 
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