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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> ZVP0545ASTOB
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ZVP0545ASTOB

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.045A I(D), 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小49KB，共1页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
标准
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ZVP0545ASTOB在线购买

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ZVP0545ASTOB概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.045A I(D), 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

ZVP0545ASTOB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压450 V
最大漏极电流 (ID)0.045 A
最大漏源导通电阻150 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-W3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
* 450 Volt V
DS
* R
DS(on)
=150Ω
ZVP0545A
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T
amb
=25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
tot
T
j
:T
stg
E-Line
TO92 Compatible
VALUE
-450
-45
-400
±
20
UNIT
V
mA
mA
V
mW
°C
700
-55 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
Drain-Source Breakdown
Voltage
Gate-Source Threshold
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source
On-State Resistance (1)
Forward Transconductance
(1)(2)
Input Capacitance (2)
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
SYMBOL MIN.
BV
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
I
D(on)
R
DS(on)
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
40
120
20
5
10
15
15
20
-100
150
-450
-1.5
-4.5
20
-20
-2
MAX. UNIT CONDITIONS.
V
V
nA
µ
A
mA
I
D
=-1mA, V
GS
=0V
ID=-1mA, V
DS
= V
GS
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
V
DS
=-450 V, V
GS
=0
V
DS
=-360 V, V
GS
=0V,
T=125°C
(2)
V
DS
=-25 V, V
GS
=-10V
V
GS
=-10V,I
D
=-50mA
V
DS
=-25V,I
D
=-50mA
mA
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
=-25 V, V
GS
=0V, f=1MHz
V
DD
≈
-25V, I
D
=-50mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
(2) Sample test.
3-413
(
3

ZVP0545ASTOB相似产品对比

ZVP0545ASTOB ZVP0545ASTZ ZVP0545ASTOA
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.045A I(D), 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.045A I(D), 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.045A I(D), 450V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-W3 TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
Reach Compliance Code unknown not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 450 V 450 V 450 V
最大漏极电流 (ID) 0.045 A 0.045 A 0.045 A
最大漏源导通电阻 150 Ω 150 Ω 150 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-W3 R-PSIP-W3 R-PSIP-W3
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 MATTE TIN Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON

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