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JANC1N5822

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小349KB,共2页
制造商Compensated Devices Inc
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JANC1N5822概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon,

JANC1N5822规格参数

参数名称属性值
厂商名称Compensated Devices Inc
Reach Compliance Codeunknown
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JESD-30 代码R-XUUC-N1
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/620
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流100 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
Base Number Matches1

JANC1N5822相似产品对比

JANC1N5822
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon,
厂商名称 Compensated Devices Inc
Reach Compliance Code unknown
应用 GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.7 V
JESD-30 代码 R-XUUC-N1
元件数量 1
相数 1
端子数量 1
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -65 °C
最大输出电流 3 A
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500/620
最大重复峰值反向电压 40 V
最大反向电流 100 µA
表面贴装 YES
技术 SCHOTTKY
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
Base Number Matches 1

 
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