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JANTX2N3637

产品描述Small Signal Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小648KB,共9页
制造商VPT Inc
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JANTX2N3637概述

Small Signal Bipolar Transistor,

JANTX2N3637规格参数

参数名称属性值
厂商名称VPT Inc
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

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2N3634 - 2N3637 Series
PNP Radiation Hardened Amplifier
Rev. V1
Features
Available in JAN, JANTX, JANTXV, JANS and JANSR
per MIL-PRF-19500/357
Ideal for General Purpose Switching and Amplifier
Applications
Available in TO-5, TO-39, UB and UBN packages
Electrical Characteristics
Parameter
Off Characteristics
Collector
-
Base Cutoff Current Voltage
V
CB
= 140 V dc 2N3634, L, UB, UBN
V
CB
= 140 V dc 2N3635, L, UB, UBN
V
CB
= 175 V dc 2N3636, L, UB, UBN
V
CB
= 175 V dc 2N3637, L, UB, UBN
I
C
= 10 mA dc
2N3634, L, UB, UBN
2N3635, L, UB, UBN
2N3636, L, UB, UBN
2N3637, L, UB, UBN
V
CB
= 100 V dc
I
CBO1
µA dc
10
Test Conditions
Symbol Units
Min.
Max.
Collector
-
Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
V dc
140
140
175
175
Collector
-
Base Cutoff Current
I
CBO2
nA dc
100
Emitter
-
Base Cutoff Current
Emitter
-
Base Cutoff Current
Collector
-
Emitter Cutoff Current
On Characteristics
1
V
EB
= 5 V dc
V
EB
= 3 V dc
V
CE
= 100 V dc
V
CE
= 10 V dc, I
C
= 0.1 mA dc
2N3634, L, UB, UBN
2N3636, L, UB, UBN
2N3635, L, UB, UBN
2N3637, L, UB, UBN
V
CE
= 10 V dc, I
C
= 1.0 mA dc
2N3634, L, UB, UBN
2N3636, L, UB, UBN
I
EBO1
I
EBO2
I
CEO
µA dc
nA dc
µA dc
10
50
10
25
h
FE1
55
45
h
FE2
-
90
Forward Current Transfer Ratio
2N3635, L, UB, UBN
2N3637, L, UB, UBN
V
CE
= 10 V dc, I
C
= 10 mA dc
2N3634, L, UB, UBN
2N3636, L, UB, UBN
2N3635, L, UB, UBN
2N3637, L, UB, UBN
h
FE3
50
100
1
VPT Components and its affiliates reserve the right to make changes to the product(s) or information contained herein without notice.
Visit
www.vptcomponents.com
for additional data sheets and product information.
For further information and support please visit:
info@vptcomponents.com
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