GM71C4100CLZ-80,GM71C4100CLZ-80 pdf中文资料,GM71C4100CLZ-80引脚图,GM71C4100CLZ-80电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> GM71C4100CLZ-80

GM71C4100CLZ-80: 产品描述Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20,; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共24页; 制造商LG Semicon Co Ltd

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GM71C4100CLZ-80概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20,

GM71C4100CLZ-80规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PZIP-T20
JESD-609代码	e0
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	ZIP
封装等效代码	ZIP20,.1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
自我刷新	NO
最大待机电流	0.0002 A
最大压摆率	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

GM71C4100CLZ-80相似产品对比

	GM71C4100CLZ-80	GM71C4100CZ-60	GM71C4100CZ-80	GM71C4100CLZ-70	GM71C4100CLZ-60	GM71C4100CZ-70
描述	Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20,	Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PZIP20,	Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20,	Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PZIP20,	Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PZIP20,	Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PZIP20,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	80 ns	60 ns	80 ns	70 ns	60 ns	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PZIP-T20	R-PZIP-T20	R-PZIP-T20	R-PZIP-T20	R-PZIP-T20	R-PZIP-T20
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	20	20	20	20	20	20
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX1	4MX1	4MX1	4MX1	4MX1	4MX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	ZIP	ZIP	ZIP	ZIP	ZIP	ZIP
封装等效代码	ZIP20,.1	ZIP20,.1	ZIP20,.1	ZIP20,.1	ZIP20,.1	ZIP20,.1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024	1024	1024
自我刷新	NO	NO	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.0002 A	0.001 A	0.001 A	0.0002 A	0.0002 A	0.001 A
最大压摆率	0.09 mA	0.11 mA	0.09 mA	0.1 mA	0.11 mA	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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