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GM71C4100CLT-70

产品描述Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20,
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文件大小435KB,共9页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GM71C4100CLT-70概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20,

GM71C4100CLT-70规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-G20
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP20/26,.36
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
自我刷新NO
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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