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SMA5101

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小20KB,共1页
制造商Allegro
官网地址http://www.allegromicro.com/
标准
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SMA5101概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

SMA5101规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)28 W
表面贴装NO
Base Number Matches1

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SMA5101
Absolute maximum ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(
pulse
)
E
AS
*
P
T
Ratings
100
±20
±4
±8
(PW≤1ms)
16
N-channel
General purpose
External dimensions
B
•••
SMA
(T
a
=25°C)
(T
a
=25°C)
Unit
V
V
A
A
mJ
Symbol
V
(BR)DSS
I
GSS
I
DSS
V
TH
Re
(
yfs
)
R
DS(ON)
Ciss
Coss
t
on
t
off
V
SD
t
rr
min
100
Specification
typ
max
±500
250
Unit
V
nA
µ
A
V
S
pF
pF
ns
ns
V
ns
Conditions
I
D
=250
µ
A, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
V
DS
=100V, V
GS
=0V
V
DS
=10V, I
D
=250
µ
A
V
DS
=10V, I
D
=4A
V
GS
=10V, I
D
=4A
V
DS
=25V, f=1.0MHz,
V
GS
=0V
I
D
=4A, V
DD
50V, V
GS
=10V,
see Fig. 3 on page 16.
I
SD
=4A, V
GS
=0V
I
SD
=±100mA
2.0
1.1
4.0
1.7
0.50
180
82
40
40
1.2
250
0.60
θ
j–a
θ
j–c
Tch
Tstg
4
(Ta=25°C, with all circuits operating, without heatsink)
W
28 (Tc=25°C,
with all circuits operating, with infinite heatsink
) W
31.2 (Junction-Air, Ta=25°C, with all circuits operating)
°C/W
4.46 (Junction-Case, Tc=25°C, with all circuits operating)
°C/W
150
°C
–40 to +150
°C
2.0
* : V
DD
=20V, L=1mH, I
D
=5A, unclamped, see Fig. E on page 15.
sEquivalent
circuit diagram
2
4
9
11
1
5
8
12
3
6
7
10
Characteristic curves
I
D
-V
DS
Characteristics (Typical)
8
10V
I
D
-V
GS
Characteristics (Typical)
(V
DS
=10V)
8
T
C
=–40°C
R
DS(ON)
-I
D
Characteristics (Typical)
0.8
(V
GS
=10V)
7
6
7V
7
6
5
25°C
125°C
0.6
I
D
(A)
5
I
D
(A)
6V
3
2
V
GS
=5V
3
2
1
0
0
R
DS
2
4
6
8
10
4
4
(ON)
(Ω)
0.4
0.2
0
0
1
0
0
10
20
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
Re
(yfs)
-I
D
Characteristics (Typical)
(V
DS
=10V)
5
R
DS(ON)
-T
C
Characteristics (Typical)
1.2
Capacitance-V
DS
Characteristics (Typical)
600
I
D
=4A
V
GS
=10V
V
GS
=0
f=1MH
z
1.0
Ciss
Re (yfs) (S)
(Ω)
0.8
Capacitance (pF)
100
50
(ON)
Coss
T
C
=–40°C
25°C
R
DS
0.4
1
0.6
0.5
125°C
0.2
Crss
10
5
0
0.2
0.05
0.1
0.5
1
5
8
0
–40
0
50
100
150
10
20
30
40
50
I
D
(A)
T
C
(°C)
V
DS
(V)
I
DR
-V
SD
Characteristics (Typical)
8
7
6
10
Safe Operating Area (SOA)
(T
C
=25°C)
30
I
D
(pulse) max
10
s
0
µ
P
T
-T
a
Characteristics
5
1m
ED
25
IT
With Silicone Grease
Natural Cooling
All Circuits Operating
10
m
s
M
s
LI
(1
sh
N)
I
DR
(A)
5
(O
20
W
)
ot
S
P
T
(W)
I
D
(A)
R
D
ith
In
4
3
2
10V
1
fin
15
ite
He
at
sin
0.5
k
10
1
5V
V
GS
=0V
5
Without Heatsink
0.1
0.5
0
1
5
10
50
100
0
50
100
150
0
0
0.5
1.0
1.5
V
SD
(V)
V
DS
(V)
T
a
(°C)
97

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