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ZC834BTA

产品描述Variable Capacitance Diode, 47pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小328KB,共8页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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ZC834BTA概述

Variable Capacitance Diode, 47pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-3

ZC834BTA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最小击穿电压25 V
配置SINGLE
二极管电容容差5%
最小二极管电容比5
标称二极管电容47 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.33 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数200
最大重复峰值反向电压25 V
最大反向电流2e-8 µA
反向测试电压20 V
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
变容二极管分类HYPERABRUPT
Base Number Matches1

ZC834BTA相似产品对比

ZC834BTA ZMDC832BTA
描述 Variable Capacitance Diode, 47pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-3 Variable Capacitance Diode, 22pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 R-PDSO-G3 MINIATURE PACKAGE-3
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最小击穿电压 25 V 25 V
配置 SINGLE COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差 5% 5%
最小二极管电容比 5 5
标称二极管电容 47 pF 22 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 2
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最小质量因数 200 200
最大重复峰值反向电压 25 V 25 V
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 10
变容二极管分类 HYPERABRUPT HYPERABRUPT
Base Number Matches 1 1

 
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