Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, 3 X 2 MM, MLP832, 10 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | 3 X 2 MM, MLP832, 10 PIN |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 4 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JESD-30 代码 | R-PQFP-F10 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 10 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN AND PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 3 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 165 MHz |
Base Number Matches | 1 |
ZXTDC3M832TA | ZXTDC3M832TC | |
---|---|---|
描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, 3 X 2 MM, MLP832, 10 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, 3 X 2 MM, MLP832, 10 PIN |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | 3 X 2 MM, MLP832, 10 PIN | 3 X 2 MM, MLP832, 10 PIN |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 4 A | 4 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V | 50 V |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 100 |
JESD-30 代码 | R-PQFP-F10 | R-PQFP-F10 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 10 | 10 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
极性/信道类型 | NPN AND PNP | NPN AND PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 3 W | 3 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 165 MHz | 165 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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