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RU2GE

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小74KB,共2页
制造商Gulf Semiconductor
官网地址http://www.gulfsemi.com/
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RU2GE概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

RU2GE规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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RU2GE
ULTRAFAST EFFICIENT
PLASTIC SILICON RECTIFIER
VOLTAGE: 400V
CURRENT: 1.1A
FEATURE
Low power loss
High surge capability
Glass passivated chip junction
Ultra-fast recovery time for high efficiency
High temperature soldering guaranteed
250℃/10sec/0.375″lead length at 5 lbs tension
DO –41\DO-204AL
-
MECHANICAL DATA
Terminal:Plated axial leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
Case:Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame
Retardant Epoxy
Polarity:color band denotes cathode
Mounting position:any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(single-phase, half -wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25℃, unless otherwise stated)
SYMBOL
RU2GE
400
280
400
1.1
30.0
1.0
10.0
100.0
50
17.0
60.0
-55 to +150
units
V
V
V
A
A
V
μA
μA
nS
pF
℃/W
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current 3/8″lead length at Ta =50℃
Peak Forward Surge Current 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage at Forward current
1.1A Peak
Maximum DC Reverse Current
Ta =25℃
at rated DC blocking voltage
Ta =125℃
Maximum Reverse Recovery Time
Typical Junction Capacitance
Typical Thermal Resistance
(Note 1)
(Note 2)
(Note 3)
Vrrm
Vrms
Vdc
If(av)
Ifsm
Vf
Ir
Trr
Cj
R(ja)
Tstg,Tj
Storage and Operating Junction Temperature
Note:
1. Reverse Recovery Condition If
=0.5A,
Ir =1.0A, Irr =0.25A
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
3. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 3/8″lead length, P.C. Board Mounted
Rev.1
www.gulfsemi.com
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