RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DBC1, 8 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | DBC1, 8 PIN |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW NOISE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 40 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-XDFP-F8 |
JESD-609代码 | e4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | GOLD |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
D1213UKG4 | D1213UK | |
---|---|---|
描述 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DBC1, 8 PIN | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DBC1, 8 PIN |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | DBC1, 8 PIN | DBC1, 8 PIN |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | LOW NOISE | LOW NOISE |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 40 V | 40 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-XDFP-F8 | R-XDFP-F8 |
JESD-609代码 | e4 | e4 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | GOLD | GOLD |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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