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D1213UKG4

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DBC1, 8 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小54KB,共4页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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D1213UKG4概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DBC1, 8 PIN

D1213UKG4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明DBC1, 8 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压40 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-XDFP-F8
JESD-609代码e4
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层GOLD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

D1213UKG4相似产品对比

D1213UKG4 D1213UK
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DBC1, 8 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DBC1, 8 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 DBC1, 8 PIN DBC1, 8 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 40 V 40 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-XDFP-F8 R-XDFP-F8
JESD-609代码 e4 e4
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 GOLD GOLD
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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