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SML60M90BFN

产品描述Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 600V, 0.09ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, FP-10
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小384KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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SML60M90BFN概述

Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 600V, 0.09ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, FP-10

SML60M90BFN规格参数

参数名称属性值
包装说明HERMETIC SEALED, FP-10
Reach Compliance Codecompliant
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)63 A
最大漏源导通电阻0.09 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-MDFP-F10
端子数量10
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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