Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 600V, 0.09ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, FP-10
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | HERMETIC SEALED, FP-10 |
Reach Compliance Code | compliant |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (ID) | 63 A |
最大漏源导通电阻 | 0.09 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-MDFP-F10 |
端子数量 | 10 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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