Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 5962L0153301QXX

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5962L0153301QXX: 产品描述SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68; 产品类别存储存储; 文件大小396KB，共14页; 制造商Cobham Semiconductor Solutions

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5962L0153301QXX概述

SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68

5962L0153301QXX规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	QFP
包装说明	QFF,
针数	68
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns
其他特性	8 AND 16 BIT OPERATION IS ALSO POSSIBLE
备用内存宽度	24
JESD-30 代码	S-CQFP-F68
长度	22.352 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	68
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFF
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度	5.2324 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
总剂量	50k Rad(Si) V
宽度	22.352 mm
Base Number Matches	1

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Standard Products

QCOTS

UT9Q512K32 16Megabit SRAM MCM

Data Sheet

November, 2004

FEATURES

25ns maximum (5 volt supply) address access time

Asynchronous operation for compatible with industry

standard 512K x 8 SRAMs

TTL compatible inputs and output levels, three-state

bidirectional data bus

Typical radiation performance

- Total dose: 50krads

- SEL Immune >80 MeV-cm

/mg

- LET

(0.25) = >10 MeV-cm

/mg

- Saturated Cross Section (cm

) per bit, 5.0E-9

- <1E-8 errors/bit-day, Adams 90% geosynchronous

heavy ion

Packaging options:

- 68-lead dual cavity ceramic quad flatpack (CQFP) -

(weight 7.37 grams)

Standard Microcircuit Drawing 5962-01511

- QML T and Q compliant part

INTRODUCTION

The QCOTS

UT9Q512K32 Quantified Commercial Off-the-

Shelf product is a high-performance 2M byte (16Mbit) CMOS

static RAM multi-chip module (MCM), organized as four

individual 524,288 x 8 bit SRAMs with a common output

enable. Memory expansion is provided by an active LOW chip

enable (En), an active LOW output enable (G), and three-state

drivers. This device has a power-down feature that reduces

power consumption by more than 90% when deselected.

Writing to each memory is accomplished by taking chip enable

(En) input LOW and write enable (Wn) inputs LOW. Data on

the eight I/O pins (DQ

through DQ

) is then written into the

location specified on the address pins (A

through A

). Reading

from the device is accomplished by taking chip enable (En) and

output enable (G) LOW while forcing write enable (Wn) HIGH.

Under these conditions, the contents of the memory location

specified by the address pins will appear on the I/O pins.

The input/output pins are placed in a high impedance state when

the device is deselected (En HIGH), the outputs are disabled (G

HIGH), or during a write operation (En LOW and Wn LOW).

Perform 8, 16, 24 or 32 bit accesses by making Wn along with

En a common input to any combination of the discrete memory

die.

A(18:0)

512K x 8

DQ(31:24)

DQ3(7:0)

DQ(23:16)

DQ2(7:0)

DQ(15:8)

DQ1(7:0)

DQ(7:0)

DQ0(7:0)

Figure 1. UT9Q512K32 SRAM Block Diagram

5962L0153301QXX相似产品对比

	5962L0153301QXX	5962D0153301TXX	5962L0153301TXX	5962-0153301TXX	5962-0153301QXX	5962P0153301QXX	5962D0153301QXX	5962P0153301TXX
描述	SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	QFF,	QFF,	QFF,	QFF,	QFF,	QFF,	QFF,	QFF,
针数	68	68	68	68	68	68	68	68
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns	25 ns	25 ns	25 ns	25 ns	25 ns	25 ns	25 ns
其他特性	8 AND 16 BIT OPERATION IS ALSO POSSIBLE	8 AND 16 BIT OPERATION IS ALSO POSSIBLE	8 AND 16 BIT OPERATION IS ALSO POSSIBLE	8 AND 16 BIT OPERATION IS ALSO POSSIBLE	8 AND 16 BIT OPERATION IS ALSO POSSIBLE	8 AND 16 BIT OPERATION IS ALSO POSSIBLE	8 AND 16 BIT OPERATION IS ALSO POSSIBLE	8 AND 16 BIT OPERATION IS ALSO POSSIBLE
备用内存宽度	24	24	24	24	24	24	24	24
JESD-30 代码	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68
长度	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	68	68	68	68	68	68	68	68
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX32	512KX32	512KX32	512KX32	512KX32	512KX32	512KX32	512KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFF	QFF	QFF	QFF	QFF	QFF	QFF	QFF
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class T	MIL-PRF-38535 Class T	MIL-PRF-38535 Class T	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class T
座面最大高度	5.2324 mm	5.2324 mm	5.2324 mm	5.2324 mm	5.2324 mm	5.2324 mm	5.2324 mm	5.2324 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
宽度	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1
总剂量	50k Rad(Si) V	10k Rad(Si) V	50k Rad(Si) V	-	-	30k Rad(Si) V	10k Rad(Si) V	30k Rad(Si) V

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