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MMBV109L

产品描述Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 29pF C(T), 30V, Silicon, Hyperabrupt, TO-236AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小62KB,共2页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MMBV109L概述

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 29pF C(T), 30V, Silicon, Hyperabrupt, TO-236AB

MMBV109L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压30 V
配置SINGLE
二极管电容容差10.34%
最小二极管电容比5
标称二极管电容29 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数200
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类HYPERABRUPT
Base Number Matches1
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