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NE85600

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, DIE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小626KB,共26页
制造商NEC(日电)
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NE85600概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, DIE-2

NE85600规格参数

参数名称属性值
包装说明DIE-2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量1 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)7000 MHz
Base Number Matches1

 
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