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HM365728BN-6

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PDIP24,
产品类别存储    存储   
文件大小102KB,共8页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
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HM365728BN-6概述

Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PDIP24,

HM365728BN-6规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间55 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T24
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
组织2KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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MATRA MHS
HM 65728B
2K
×
8 High Speed CMOS SRAM
Description
The HM 65728B is a high speed CMOSstatic RAM
organized as 2048
×
8 bits. It is manufactured using
MHS’s high performance CMOS technology.
Access times as fast as 25 ns are available with maximum
power consumption of only 600 mW.
The HM 65728B features fully static operation requiring
no external clocks or timing strobes. The automatic
power-down feature reduces the power consumption by
80 % when the circuit is deselected.
Easy memory expansion is provided by an active low chip
select (CS) and active low output enable (OE) and three
state drivers.
All inputs and outputs of the HM 65728 are TTL
compatible and operate from single 5V supply thus
simplifying system design.
The HM 65728B is 100 % processed following the test
methods of MIL STD 883 and/or ESA/SCC 9000 making
it ideally suitable for military/space applications that
demand superior levels of performance and reliability.
Features
D
Fast Access Time
Commercial : 25/35/45/55 ns (max)
Military : 25/35/45/55 ns (max)
D
Low Power Consumption Active :
550 mW (max)
Standby : 110 mW (max)
D
Wide Temperature Range :
–55°C to + 125°C
D
D
D
D
300 and 600 Mils Width Package
TTL Compatible Inputs and Outputs
Asynchronous
Capable of Withstanding Greater than 2000 V Electrostatic
Discharge
D
Single 5 Volt Supply
Interface
Block Diagram
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1
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