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HMT-65779H-5

产品描述Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, PDSO28,
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文件大小403KB,共9页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
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HMT-65779H-5概述

Standard SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, PDSO28,

HMT-65779H-5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
内存密度73728 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度9
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP28,.45
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.02 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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