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BFY50DWP

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.026 X 0.031 INCH, G9, DIE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小47KB,共1页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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BFY50DWP概述

Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.026 X 0.031 INCH, G9, DIE-2

BFY50DWP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Codeunknown
基于收集器的最大容量12 pF
集电极-发射极最大电压35 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-XUUC-N2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)235
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz
VCEsat-Max0.2 V
Base Number Matches1
看看这个怎么设置(已解决)
连接文件或copy即可 本帖最后由 minjiang 于 2013-10-12 16:08 编辑 ]...
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