Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.83 W |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches | 1 |
| APM2324AC-TU | APM2324AC-TRL | APM2324AC-TUL | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| 配置 | Single | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3 A | 3 A | 3 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.83 W | 0.83 W | 0.83 W |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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