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MRF390

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小125KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF390概述

RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

MRF390规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)7 A
基于收集器的最大容量50 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F8
元件数量2
端子数量8
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最小功率增益 (Gp)7.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

MRF390相似产品对比

MRF390 MRF321
描述 RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 7 A 1.1 A
基于收集器的最大容量 50 pF 12 pF
集电极-发射极最大电压 30 V 33 V
配置 COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F8 O-CRPM-F4
元件数量 2 1
端子数量 8 4
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT POST/STUD MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
最小功率增益 (Gp) 7.5 dB 12 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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